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高解析雙粒子束-離子束顯微切削系統(Dual Beam Focused Ion Beam (DB-FIB)),包含電子槍與離子槍,在掃描式電子顯微鏡的架構下,同時結合離子槍,利用高能量Ga離子束直接撞擊試片表面,並將表面原子出,來達到試片特定圖案蝕刻之目的,主要可應用於定點TEM樣品製作、樣品剖面微結構觀察、光罩與元件之線路修補等。在國科會與本校的支持下,中正大學貴儀中心於2010年獲得新購儀器案之經費,購置此貴重儀器,與附件TEM試片擷取系統。竭誠歡迎各學術研究單位與產業界預約使用,主要進行金屬、半導體材料樣品顯微切割與觀察,同時提供TEM試片製作,若為教特殊之樣品或特別之操作服務,可事先與技術人員討論可能的使用方式,全力提供各研究單位所需之服務。
預約使用 預約使用之詳細內容請參考文件說明。 •儀器概述 : 1. 場發射式電子束(Schottky emitter),加速電壓 0.2~30KV,高真空模式解析度可達 1.2nm at 30 kV。 •服務項目 : (1)TEM試片製作,(2)試片縱剖面微結構分析,(3)元件故障分析,(4)奈米陣列,(5)線路修補 •注意事項 : 1. 所有樣品均由本中心代為服務操作,預約者請在實驗三天前填寫申請表格,說明樣品欲觀測部位,先與技術人員討論操作內容。 2. 本機台主要提供各式金屬、半導體試片在高真空下之FIB切割與觀察之服務。若含少量高分子材料、導電性不佳之材料,必須事先說明 。 3. 本儀器為先進之精密設備,為維護儀器之性能,在切割服務中,若有可能污染儀器,拒絕受理不適合之片,如:強磁性材料試片(鐵鈷鎳),有機物,高揮發性物質,低熔點金屬(如:In),與有掉落疑慮之粉末 。 4. 試片若由高分子樹脂鑲埋,必須先自行以銅膠帶將樹脂區域包覆。 5. 試片若含有高揮發性分子或水分,請務必先自行烘烤抽除,再由技術人員進行檢測。 6. 試片直徑適合大小約在 2.5cm以內,高度在1cm以內。若為特殊尺寸,請事先與技術人員聯繫確認。 7. 導電性不佳及絕緣體試片,影像會飄移,無法切割,需自行鍍導電膜(Pt or Au),現場無提供鍍膜理。 8. 試片處理若不適當,需現場進行改善,塗有銀膠之試片,必須進行烘烤。 相關資訊 : 中正大學貴儀中心FIB,國科會貴儀中心 ,交通資訊
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